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STL86N3LLH6AG | STMicroelectronics | 半导体 晶体管 | 该器件是采用 stripfettmh6技术研制的 n 沟道功率 mosfet，具有一种新的沟道栅结构。这种功率 mosfet 在所有容器中都表现出非常低的 rd (on)。 aec-q101质量的非常低的通电阻非常低的栅极极高雪崩耐用度低栅极驱动功率损耗逻辑水平可湿性侧翼封装 |
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